Name: TW092V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW092V65CLQTR-ND
Price: 24.6961 EUR
Availability: InStock

TW092V65C,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TW092V65CLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TW092V65CLQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TW092V65C,LQ
Descripción	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) 4-DFN-EP (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	27A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	136mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 600µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	873 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	111W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 4-VSFN

Precio unitario sin IVA:	20,41000 €
Precio unitario con IVA:	24,69610 €

TW092V65C,LQ