Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 4.0293 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) 8-DSOP avanzado

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TPW2900ENH,L1Q
N.º de producto de DigiKey	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPW2900ENH,L1Q
Descripción	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) 8-DSOP avanzado
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 29mOhm a 16.5A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA
Serie U-MOSVIII-H	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2200 pF @ 100 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 33A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DSOP avanzado
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN