Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 3.0008 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

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TPM1R908QM,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPM1R908QM,LQ
Descripción	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) 8-SOP avanzado (4.9x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	26A (Ta), 238A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.9mOhm a 70A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 1.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10500 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (4.9x5.75)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN