Name: TPH9R00CQH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH9R00CQHLQTR-ND
Price: 3.0008 EUR
Availability: InStock

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TPH9R00CQH,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPH9R00CQHLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPH9R00CQHLQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPH9R00CQHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH9R00CQH,LQ
Descripción	UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 64A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH9R00CQH,LQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.3V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 44 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5400 pF @ 75 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 64A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9mOhm a 32A, 10V