Name: GSGP9R115
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-GSGP9R115TR-ND
Price: 2.7346 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

GSGP9R115
N.º de producto de DigiKey	4786-GSGP9R115TR-ND - Cinta y rollo (TR) 4786-GSGP9R115CT-ND - Cinta cortada (CT) 4786-GSGP9R115DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Good-Ark Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GSGP9R115
Descripción	MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 87A (Tc) 142W (Tc) 8-PPAK (5.1x5.86)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Good-Ark Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	87A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.1mOhm a 42A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2808 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	142W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PPAK (5.1x5.86)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN