Name: FDMS8D8N15C
Brand: onsemi
SKU: 488-FDMS8D8N15CTR-ND
Price: 3.0492 EUR
Availability: InStock

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FDMS8D8N15C
N.º de producto de DigiKey	488-FDMS8D8N15CTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-FDMS8D8N15CCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-FDMS8D8N15CDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS8D8N15C
Descripción	MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 12.2A (Ta), 85A (Tc) 2.7W (Ta), 132W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12.2A (Ta), 85A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.8mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3600 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.7W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	FDMS8

Precio unitario sin IVA:	2,52000 €
Precio unitario con IVA:	3,04920 €

FDMS8D8N15C