Name: IXFR32N100Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFR32N100Q3-ND
Price: 44.8547 EUR
Availability: InStock

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IXFR32N100Q3
N.º de producto de DigiKey	IXFR32N100Q3-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFR32N100Q3
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Plazo estándar del fabricante	36 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1000 V 23A (Tc) 570W (Tc) ISOPLUS247™
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q3 Class
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	23A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	350mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	6.5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9940 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	570W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	ISOPLUS247™
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXFR32

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30	25,54367 €	766,31 €

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