Name: NVMTS0D4N04CLTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D4N04CLTXGOSTR-ND
Price: 11.3619 EUR
Availability: InStock

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NVMTS0D4N04CLTXG
N.º de producto de DigiKey	NVMTS0D4N04CLTXGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMTS0D4N04CLTXGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMTS0D4N04CLTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMTS0D4N04CLTXG
Descripción	MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 553.8A (Tc) 5W (Ta) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	553.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.4 mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	163 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	20600 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	NVMTS0