NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi | Productos de semiconductores discretos

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

NVMFWS0D4N04XMT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NVMFWS0D4N04XMT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMFWS0D4N04XMT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMFWS0D4N04XMT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFWS0D4N04XMT1G
Descripción	40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 519A (Tc) 197W (Tc) 8-DFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	519A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.42mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 330µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	138 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8550 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	197W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	NVMFWS