Name: NVMTS0D6N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D6N04CTXGOSTR-ND
Price: 10.3697 EUR
Availability: InStock

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NVMTS0D6N04CTXG
N.º de producto de DigiKey	NVMTS0D6N04CTXGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMTS0D6N04CTXGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMTS0D6N04CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMTS0D6N04CTXG
Descripción	MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	50 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 533A (Tc) 5W (Ta) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVMTS0D6N04CTXG Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 187 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11800 pF @ 20 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 533A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFNW (8.3x8.4)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.48 mOhm a 50A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA	Número de producto base NVMTS0