Name: NTBG060N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG060N090SC1TR-ND
Price: 14.3627 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

NTBG060N090SC1
N.º de producto de DigiKey	5556-NTBG060N090SC1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 5556-NTBG060N090SC1CT-ND - Cinta cortada (CT) 5556-NTBG060N090SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTBG060N090SC1
Descripción	SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 900 V 5.8A (Ta), 44A (Tc) 3.6W (Ta), 211W (Tc) D2PAK-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	900 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.8A (Ta), 44A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	84mOhm a 20A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	4.3V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	88 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	+19V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 450 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.6W (Ta), 211W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	NTBG060