Name: FDS86267P
Brand: onsemi
SKU: FDS86267PTR-ND
Price: 2.541 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

FDS86267P
N.º de producto de DigiKey	FDS86267PTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDS86267PCT-ND - Cinta cortada (CT) FDS86267PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDS86267P
Descripción	MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 150 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDS86267P Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1130 pF @ 75 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.2A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base FDS86267
Rds On (máx) @ Id, Vgs 255mOhm a 2.2A, 10V