Name: FDMS86200
Brand: onsemi
SKU: FDMS86200TR-ND
Price: 3.0855 EUR
Availability: InStock

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FDMS86200
N.º de producto de DigiKey	FDMS86200TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMS86200CT-ND - Cinta cortada (CT) FDMS86200DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS86200
Descripción	MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDMS86200 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.6A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 9.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2715 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	FDMS86