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FDB029N06 es obsoleto y ya no se fabrica.
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FDB029N06 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FDB029N06TR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDB029N06 |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 60 V 120H (Tc) 231W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 151 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9815 pF @ 25 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 231W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.1mOhm a 75A, 10V |
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| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTBGS2D5N06C | onsemi | 796 | 488-NTBGS2D5N06CCT-ND | 5,76000 € | MFR recomendado |
| IPB029N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 2.661 | IPB029N06N3GATMA1CT-ND | 3,11000 € | Similar |
| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 3.682 | IPB037N06N3GATMA1CT-ND | 3,37000 € | Similar |
| IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | 1.000 | 448-IPB120N06S403ATMA2CT-ND | 4,06000 € | Similar |
| PSMN1R7-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | 1.147 | 1727-7106-1-ND | 4,16000 € | Similar |
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