Name: SQM120N06-3M5L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N06-3M5L_GE3TR-ND
Price: 5.4087 EUR
Availability: InStock

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SQM120N06-3M5L_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQM120N06-3M5L_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQM120N06-3M5L_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQM120N06-3M5L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQM120N06-3M5L_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-263
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.5mOhm a 29A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	330 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	14700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SQM120