Name: G2R120MT33J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R120MT33J-ND
Price: 94.55042 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 3300 V 35A TO-263-7

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G2R120MT33J
N.º de producto de DigiKey	1913-G2R120MT33J-ND
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G2R120MT33J
Descripción	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 3300 V 35A TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	G2R120MT33J Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 156mOhm a 20A, 20V
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 145 nC @ 20 V
Serie G2R™	Vgs (máx.) +25V, -10V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3706 pF @ 1000 V
Estado de pieza Última compra	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Tipo de montaje Montaje en superficie
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 3300 V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 35A	Número de producto base G2R120
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V

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