Name: IPW65R019C7FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R019C7FKSA1-ND
Price: 22.022 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) PG-TO247-3

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IPW65R019C7FKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPW65R019C7FKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPW65R019C7FKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) PG-TO247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPW65R019C7FKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 2.92mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 215 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9900 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 446W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 75A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPW65R019
Rds On (máx) @ Id, Vgs 19mOhm a 58.3A, 10V

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Documentos y medios

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	18,20000 €	18,20 €
30	11,44200 €	343,26 €
120	9,96183 €	1.195,42 €
510	9,61608 €	4.904,20 €

Paquete estándar del fabricante

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