Name: IPT017N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.1866 EUR
Availability: InStock

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IPT017N10NF2SATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPT017N10NF2SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPT017N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPT017N10NF2SATMA1
Descripción	MOSFET
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) PG-HSOF-8-10
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPT017N10NF2SATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	33A (Ta), 294A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.75mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 216µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9300 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-10
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN
Número de producto base	IPT017