Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.6792 EUR
Availability: InStock

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IPT017N12NM6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPT017N12NM6ATMA1
Descripción	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) PG-HSOF-8
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.6V a 275µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 141 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11000 pF @ 60 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 395W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 120 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 29A (Ta), 331A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V	Número de producto base IPT017
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.7mOhm a 150A, 10V