Name: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 6.8002 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) PG-HSOF-8-1

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IPT017N10NM5LF2ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Descripción	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) PG-HSOF-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPT017N10NM5LF2ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.6mOhm a 150A, 15V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 280µA
Serie OptiMOS™ 5	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 206 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 17000 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 32A (Ta), 321A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V, 15V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN