Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 10.648 EUR
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

Canal N Montaje en superficie 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3.8W (Ta), 349W (Tc) PG-HSOG-4-1

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IPM018N10NM5LF2AUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Descripción	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3.8W (Ta), 349W (Tc) PG-HSOG-4-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPM018N10NM5LF2AUMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.7mOhm a 100A, 15V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 3.45V a 240µA
Serie OptiMOS™ 5	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 178 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14000 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 349W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A (Ta), 285A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOG-4-1
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V, 15V	Paquete / Caja (carcasa) 4-PowerSFN