Name: PSMN1R9-80SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R9-80SSEJTR-ND
Price: 8.7241 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R9-80SSEJ
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN1R9-80SSEJTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN1R9-80SSEJCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN1R9-80SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R9-80SSEJ
Descripción	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 286A (Tc) 340W (Tc) LFPAK88 (SOT1235)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	PSMN1R9-80SSEJ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	286A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.9mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	232 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	17140 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	340W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK88 (SOT1235)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1235
Número de producto base	PSMN1R9