Name: IAUMN10S5N017GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND
Price: 4.1503 EUR
Availability: InStock

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IAUMN10S5N017GAUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUMN10S5N017GAUMA1
Descripción	MOSFET_(75V 120V(
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 200A (Tj) 307W (Tc) PG-HSOG-4-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUMN10S5N017GAUMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 215µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12514 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 307W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200A (Tj)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOG-4-1
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.7mOhm a 100A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 4-PowerSFN

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