
IMZA65R050M2HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMZA65R050M2HXKSA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 61 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 38A (Tc) 153W (Tc) PG-TO247-4-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 3.7mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (máx.) +23V, -7V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 790 pF @ 400 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 153W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-8 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 46mOhm a 18.2A, 20V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 7,69000 € | 7,69 € |
| 30 | 4,48833 € | 134,65 € |
| 120 | 3,78400 € | 454,08 € |
| 510 | 3,26820 € | 1.666,78 € |
| 1.020 | 3,13773 € | 3.200,48 € |
| Precio unitario sin IVA: | 7,69000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 9,30490 € |


