Name: IMZA65R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R026M2HXKSA1-ND
Price: 14.0844 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 64A (Tc) 227W (Tc) PG-TO247-4-8

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IMZA65R026M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA65R026M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA65R026M2HXKSA1
Descripción	IMZA65R026M2HXKSA1
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 64A (Tc) 227W (Tc) PG-TO247-4-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZA65R026M2HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 24mOhm a 34.5A, 20V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 7mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1499 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 227W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 64A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	11,64000 €	11,64 €
30	7,02933 €	210,88 €
120	6,02008 €	722,41 €
510	5,39592 €	2.751,92 €

Paquete estándar del fabricante

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