Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 2.9161 EUR
Availability: InStock

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IGB110S10S1XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGB110S10S1XTMA1
Descripción	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9H (Ta), 23H (Tc) 2.5W (Ta), 15W (Tc) PG-TSON-4-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IGB110S10S1XTMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 10A, 5V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2.9V a 3mA
Serie CoolGaN™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.4 nC @ 5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±6.5V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 340 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 15W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9H (Ta), 23H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSON-4-2
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V	Paquete / Caja (carcasa) 4-PowerTDFN