Name: IGC019S06S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC019S06S1XTMA1TR-ND
Price: 4.4649 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

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IGC019S06S1XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGC019S06S1XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGC019S06S1XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGC019S06S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGC019S06S1XTMA1
Descripción	MV GAN DISCRETES
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 27A (Ta), 99A (Tc) 3.3W (Ta), 45W (Tc) PG-TSON-6-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IGC019S06S1XTMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	27A (Ta), 99A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.9mOhm a 35A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.9V a 12mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±6.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1450 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSON-6-2
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerTDFN