Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S101XTMA1TR-ND
Price: 2.3353 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IGB110S101XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGB110S101XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGB110S101XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGB110S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGB110S101XTMA1
Descripción	MV GAN DISCRETES
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2.5W (Ta), 15W (Tc) PG-VSON-4-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IGB110S101XTMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta), 23A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11mOhm a 10A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.9V a 3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±6.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	340 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-VSON-4-3
Paquete / Caja (carcasa)	4-PowerVDFN