Name: GAN7R0-150LBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN7R0-150LBEZTR-ND
Price: 4.1503 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

GAN7R0-150LBEZ
N.º de producto de DigiKey	1727-GAN7R0-150LBEZTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-GAN7R0-150LBEZCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-GAN7R0-150LBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	GAN7R0-150LBEZ
Descripción	150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 28A 28W 3-FCLGA (3.2x2.2)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	GAN7R0-150LBEZ Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 5mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.6 nC @ 5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +6V, -4V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 865 pF @ 85 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 28W
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 28A	Paquete del dispositivo del proveedor 3-FCLGA (3.2x2.2)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V	Paquete / Caja (carcasa) 3-VLGA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7mOhm a 10A, 5V	Número de producto base GAN7R0