Name: G2R1000MT33J
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G2R1000MT33J-ND
Price: 19.5294 EUR
Availability: OutOfStock

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G2R1000MT33J
N.º de producto de DigiKey	1242-G2R1000MT33J-ND
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G2R1000MT33J
Descripción	SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	G2R1000MT33J Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Serie	G2R™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	3300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2Ohm a 2A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	238 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	G2R1000

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	16,14000 €	16,14 €
10	14,59700 €	145,97 €
25	14,01800 €	350,45 €
100	13,18880 €	1.318,88 €
250	12,67052 €	3.167,63 €
500	12,29048 €	6.145,24 €

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