Name: G2R1000MT33J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G2R1000MT33J-TR-ND
Price: 19.5294 EUR
Availability: InStock

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G2R1000MT33J-TR
N.º de producto de DigiKey	1242-G2R1000MT33J-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1242-G2R1000MT33J-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1242-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G2R1000MT33J-TR
Descripción	3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 3300 V 5A (Tc) 74W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Serie	LoRing™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	3300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2Ohm a 2A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	238 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA