Diodos schottky SiC de 1.200 V Gen 3

Los diodos Schottky de carburo de silicio de 1200 V Gen 3 de Vishay presentan un diseño PIN Schottky fusionado (MPS). Combinan una gran robustez de la corriente de sobretensión con una baja caída de voltaje directo, carga capacitiva y corriente inversa de fuga para aumentar la eficiencia y fiabilidad en los diseños de conmutación de potencia. La estructura MPS de los diodos, que presenta una cara posterior aligerada mediante tecnología de recocido por láser, reduce su caída de voltaje directo. La baja corriente de fuga inversa típica de los dispositivos reduce las pérdidas de conducción, garantizando una alta eficiencia del sistema durante cargas ligeras y en ralentí. Para mejorar aún más la eficiencia, los diodos Gen 3 prácticamente no tienen cola de recuperación, a diferencia de los diodos ultrarrápidos.

Estos diodos ofrecen PFC CA/CC y rectificación de salida de frecuencia ultraalta CC/CC en convertidores FBPS y LLC para aplicaciones como inversores de energía solar, sistemas de almacenamiento de energía, accionamientos y herramientas industriales y centros de datos.