Name: VS-3C10ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND
Price: 6.8123 EUR
Availability: InStock

Diodos 1200 V 10A Montaje en superficie TO-263AB (D2PAK)

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VS-3C10ET12S2L-M3
N.º de producto de DigiKey	112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 112-VS-3C10ET12S2L-M3CT-ND - Cinta cortada (CT) 112-VS-3C10ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de pieza del fabricante	VS-3C10ET12S2L-M3
Descripción	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO263AB
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 1200 V 10A Montaje en superficie TO-263AB (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples	Velocidad Tiempo de recuperación cero > 500mA (Io)
Fabricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Corriente - Fuga inversa a Vr 60 µA @ 1200 V
Estado de pieza Activo	Capacitancia según Vr, F 38pF a 800V, 1MHz
Tecnología SiC (carburo de silicio) Schottky	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1200 V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Corriente - Promedio rectificado (Io) 10A	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263AB (D2PAK)
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.5 V @ 10 A	Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 175°C