Circuito controlador de compuerta SCT2H12NZ

ROHM presenta la serie SCT2H12NZ que proporciona el alto voltaje de avería requerido para las fuentes de alimentación auxiliares en equipos industriales. La pérdida de la conducción se reduce en 8 veces en comparación con los MOSFET de silicio convencionales, contribuyendo a una mayor eficiencia energética.

Optimizado para fuentes de alimentación auxiliares en equipos industriales

En comparación con los MOSFET de silicio de 1500 V utilizados en fuentes de alimentación auxiliares para equipos industriales, el SCT2H12NZ proporciona mayor voltaje de avería (1700 V) con 8 veces menos resistencia (1,15 Ω). Además, el paquete compacto TO-3PFM mantiene la distancia de fuga (distancia medida a lo largo de la superficie del material aislante) requerida por el equipo industrial. ROHM está lanzando un tipo de montaje en superficie (TO268 - 2L) que también proporciona la distancia de fuga adecuada.

Mejora de la eficiencia cuando se combina con CI dedicado de ROHM

Con el uso de este último SiC MOSFET en combinación con el CI de control de convertidor CA/CC de ROHM (BD7682FJ-LB) diseñado específicamente para control de SiC MOSFET se hará posible maximizar el rendimiento y aumentar la eficiencia hasta un 6%. Al mismo tiempo se reduce la generación de calor, minimizando las contramedidas térmicas y se permite el uso de componentes más pequeños.

Aislamiento de 3,75k

Al agregar BM61M41RFV o BM61S40RFV, los usuarios pueden tener un controlador de compuerta con un voltaje de aislamiento de 3750 V_RMS, tiempo de retardo de E/S de 65 ns y ancho de pulso de entrada mínimo de 60 ns. Tiene función de bloqueo de bajo voltaje (UVLO) y función de pinza Miller.