Nexperia

FET de GaN Cascode

El transistor de efecto de campo (FET) de GaN de Nexperia ofrece rendimiento, eficacia y fiabilidad a los sistemas de potencia

Imagen del transistor de efecto de campo (FET) de GaN Cascode de NexperiaEl transistor de efecto de campo (FET) de GaN Cascode de Nexperia ofrece alta densidad de potencia, rendimiento y frecuencia de conmutación. La altísima movilidad de electrones del GaN permite crear dispositivos con baja resistencia en estado encendido y una capacidad de frecuencia de conmutación excepcionalmente alta, que son vitales en los sistemas de alimentación de próxima generación, como la Industria 4.0 y las aplicaciones de energías renovables. El transistor de efecto de campo (FET) de GaN Cascode es una solución única que facilita el control de dispositivos mediante los conocidos controladores de compuerta de MOSFET de Si. Proporcionan una alta temperatura de unión (Tj [máx.] = +175 °C), una libertad de diseño y una mayor fiabilidad de los sistemas de alimentación sin igual.

Cascode GaN FETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247304 - Inmediata$14.92Ver detalles
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3536 - Inmediata$24.07Ver detalles
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (847 - Inmediata$15.15Ver detalles
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247151 - Inmediata$11.89Ver detalles
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Inmediata$10.21Ver detalles
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS723 - Inmediata$15.15Ver detalles
Publicado: 2024-09-04

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