FET de GaN Cascode
El transistor de efecto de campo (FET) de GaN de Nexperia ofrece rendimiento, eficacia y fiabilidad a los sistemas de potencia
El transistor de efecto de campo (FET) de GaN Cascode de Nexperia ofrece alta densidad de potencia, rendimiento y frecuencia de conmutación. La altísima movilidad de electrones del GaN permite crear dispositivos con baja resistencia en estado encendido y una capacidad de frecuencia de conmutación excepcionalmente alta, que son vitales en los sistemas de alimentación de próxima generación, como la Industria 4.0 y las aplicaciones de energías renovables. El transistor de efecto de campo (FET) de GaN Cascode es una solución única que facilita el control de dispositivos mediante los conocidos controladores de compuerta de MOSFET de Si. Proporcionan una alta temperatura de unión (Tj [máx.] = +175 °C), una libertad de diseño y una mayor fiabilidad de los sistemas de alimentación sin igual.
Cascode GaN FETs
Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
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![]() | ![]() | GAN041-650WSBQ | GAN041-650WSB/SOT429/TO-247 | 304 - Inmediata | $14.92 | Ver detalles |
![]() | ![]() | GAN063-650WSAQ | GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 536 - Inmediata | $24.07 | Ver detalles |
![]() | ![]() | GAN039-650NBBHP | 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( | 847 - Inmediata | $15.15 | Ver detalles |
![]() | ![]() | GAN111-650WSBQ | GAN111-650WSB/SOT429/TO-247 | 151 - Inmediata | $11.89 | Ver detalles |
![]() | ![]() | GAN039-650NTBZ | 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( | 0 - Inmediata | $10.21 | Ver detalles |
![]() | ![]() | GAN039-650NTBJ | GAN CASCODE FETS | 723 - Inmediata | $15.15 | Ver detalles |