GAN039-650NTBZ Nexperia USA Inc. | FET simple, MOSFET

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GAN039-650NTBJ

Nexperia USA Inc.

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Canal N Montaje en superficie 650 V 58.5H (Tc) 250W (Tc) CCPAK1212i

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GAN039-650NTBZ
N.º de producto de DigiKey	1727-GAN039-650NTBZTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-GAN039-650NTBZCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-GAN039-650NTBZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	GAN039-650NTBZ
Descripción	650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 58.5H (Tc) 250W (Tc) CCPAK1212i
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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.6V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Discontinuo en DigiKey	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1980 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 58.5H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor CCPAK1212i
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 12-BESOP (0.370", 9.40mm de ancho)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 39mOhm a 32A, 10V

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
GAN039-650NTBJ	Nexperia USA Inc.	576	1727-GAN039-650NTBJCT-ND	12,85000 €	MFR recomendado

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