Nexperia

FET de GaN

Los FET de GaN de Nexperia aumentan el rendimiento, la eficiencia y la confiabilidad.

Imagen de los FET de GaN de NexperiaLos FET de GaN de Nexperia permiten sistemas más pequeños, más rápidos, más fríos y más livianos, con un costo general del sistema más bajo. El uso eficiente de la energía es un desafío industrial clave y un motor de innovación. La presión social y la legislación exigen una mayor eficiencia en la conversión y el control de la energía. Para algunas aplicaciones, la eficiencia de conversión de energía y la densidad de energía son críticas para la adopción del mercado. Los mejores ejemplos incluyen la tendencia hacia la electrificación automotriz y los sectores de infraestructura industrial y de comunicaciones de alto voltaje.

Características
  • Fácil de conducir con voltaje umbral de 4 V
  • Diodo de cuerpo excelente (bajo VF) para reducir las pérdidas en el modo de conducción inversa
  • Ultrabajo QRR para rápida conmutación
  • Capacidad de sobretensión transitoria de 800 V
  • Óxido de compuerta robusto (capacidad de ±20 V)
Aplicaciones
  • Fuentes de alimentación para telecomunicaciones y servidores
  • Almacenamiento de baterías y UPS
  • Automatización industrial
  • Cargadores a bordo (OBC)
  • Conversión de corriente CC/CC
  • Inversores de tracción

GaN FETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºCVoltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)Cantidad disponiblePrecioVer detalles
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3650 V34.5A (Tc)10V536 - Inmediata$24.07Ver detalles
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247650 V47.2A (Tc)10V304 - Inmediata$14.92Ver detalles
Publicado: 2020-09-30

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Fecha de publicación: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Fecha de publicación: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Fecha de publicación: 2025-04-14

Related Product Highlight

FET de GaN Cascode El transistor de efecto de campo (FET) de GaN Cascode de Nexperia tiene una alta densidad de potencia, rendimiento y frecuencia de conmutación para aplicaciones de sistemas de potencia como la Industria 4.0 y las energías renovables.

Related Articles and Blogs

Los semiconductores de banda prohibida impulsan la eficiencia de los centros de datos Dado que los centros de datos tienen enormes necesidades energéticas, se necesitan soluciones de alimentación que puedan reducir las pérdidas de energía, aumentar la eficiencia y mejorar el control térmico.
Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Por qué y cómo aplicar los transistores de efecto de campo de GaN a aplicaciones de potencia eficientes, de alto voltaje y en modo conmutado Mejore la eficiencia energética y la densidad de potencia en sistemas de alimentación conmutados de alta tensión mediante la comprensión de los principios y la correcta aplicación de los FET de GaN.