GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | FET simple, MOSFET

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Nexperia USA Inc.

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Precio por unidad : 12,66000 €

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GAN063-650WSAQ
N.º de producto de DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	GAN063-650WSAQ
Descripción	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 34.5A (Tc) 143W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	GAN063-650WSAQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 10 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1000 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 143W (Tc)
Tecnología GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 34.5A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 60mOhm a 25A, 10V	Número de producto base GAN063