Módulos IGBT

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo IGBT	Configuración	Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	Potencia - Máx.	Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic	Corriente - Corte de colector (Máx.)	Capacitancia de entrada (Cies) a Vce	Entrada	Termistor NTC	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
IXYN110N120C4H1 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	226 En stock	1 : 38,39000 € Tubo	XPT™	Tubo	Activo	Zanja	Simple	1200 V	210 A	830 W	2.4V a 15V, 110A	50 µA	5420 pF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	264 En stock	1 : 39,60000 € Tubo	HEXFRED®	Tubo	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	281 A	1087 W	2.05V a 15V, 100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS	320 En stock	1 : 40,87000 € Tubo	-	Tubo	Activo	NPT	Simple	1200 V	150 A	660 W	2.7V a 15V, 75A	4 mA	5.5 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT150GN120J IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP Microchip Technology	347 En stock	1 : 41,73000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	215 A	625 W	2.1V a 15V, 150A	100 µA	9.5 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	ISOTOP	ISOTOP®
IXGN100N170 IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B IXYS	280 En stock	1 : 50,05000 € Tubo	-	Tubo	Activo	NPT	Simple	1700 V	160 A	735 W	3V a 15V, 100A	50 µA	9.22 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	100 En stock	1 : 78,17000 € Bandeja	-	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	400 A	2400 W	2.1V a 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Estándar	Sí	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	16 En stock 164 Mercado	1 : 86,30000 € Bandeja 4 : 77,62500 € Granel	C	Granel Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	600 V	260 A	680 W	1.9V a 15V, 200A	5 mA	-	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	40 En stock	1 : 95,59000 € Bandeja	C	Bandeja	Activo	-	Simple	1200 V	600 A	3000 W	2.1V a 15V, 600A	5 mA	1.7 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 125°C	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF400R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 500A 1250W Infineon Technologies	46 En stock	1 : 117,19000 € Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	600 V	500 A	1250 W	1.9V a 15V, 400A	5 mA	-	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF450R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2400W Infineon Technologies	34 En stock	1 : 120,85000 € Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	450 A	2400 W	2.15V a 15V, 450A	5 mA	28 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W Infineon Technologies	31 En stock	1 : 121,02000 € Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1700 V	1200 A	3350 W	2.3V a 15V, 600A	1 mA	49 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W Infineon Technologies	67 En stock	1 : 136,92000 € Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	900 A	4300 W	2.1V a 15V, 900A	5 mA	56 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
NXH800H120L7QDSG 1200V 800A QDUAL3 onsemi	29 En stock 432 Fábrica	1 : 164,14000 € Bandeja	-	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	800 A	-	2.05V a 15V, 800A	100 µA	94300 pF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	11-PIM (152x62.15)
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon Technologies	85 En stock	1 : 405,97000 € Caja	HybridPACK™	Caja	Activo	-	Inversor trifásico	750 V	1.15 kA	1 kW	1.21V a 15V, 600A	1 mA	60800 pF @ 50 V	Estándar	No	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	-
IXXN200N60B3 IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B IXYS	155 En stock	1 : 25,47000 € Tubo	XPT™, GenX3™	Tubo	Activo	PT	Simple	600 V	280 A	940 W	1.7V a 15V, 100A	50 µA	9.97 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65B4H1 IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B IXYS	228 En stock	1 : 25,93000 € Tubo	XPT™, GenX4™	Tubo	Activo	PT	Simple	650 V	215 A	750 W	2.1V a 15V, 110A	50 µA	3.65 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GN120JDQ3 IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP Microchip Technology	116 En stock	1 : 31,74000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	124 A	379 W	2.1V a 15V, 75A	200 µA	4.8 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	ISOTOP	ISOTOP®
IXYN85N120C4H1 1200V, 85A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	200 En stock	1 : 33,05000 € Tubo	XPT™	Tubo	Activo	Zanja	Simple	1200 V	150 A	600 W	2.5V a 15V, 85A	50 µA	4030 pF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS	1.608 En stock	1 : 38,08000 € Tubo	GenX3™	Tubo	Activo	PT	Simple	600 V	320 A	735 W	1.25V a 15V, 100A	150 µA	18 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GP120JDQ3 IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Microchip Technology	885 En stock	1 : 41,46000 € Tubo	POWER MOS 7®	Tubo	Activo	PT	Simple	1200 V	128 A	543 W	3.9V a 15V, 75A	1.25 mA	7.04 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	ISOTOP	ISOTOP®
IXGN200N60B3 IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B IXYS	697 En stock	1 : 49,45000 € Tubo	GenX3™	Tubo	Activo	PT	Simple	600 V	300 A	830 W	1.5V a 15V, 100A	50 µA	26 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-40MT120PHAPBF MTP - HALF BRIDGE IGBT Vishay General Semiconductor - Diodes Division	144 En stock	1 : 53,70000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	75 A	305 W	2.65V a 15V, 40A	50 µA	3.2 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	Módulo 12-MTP	12-MTP
PDMB100W12 IGBT MODULE, 2IN1, 1200V/100A KYOCERA AVX	42 En stock	1 : 76,90000 € Granel	-	Granel	Activo	-	Medio puente	1200 V	100 A	403 W	2V a 15V, 100A	1 mA	10000 pF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FS150R12KT4BOSA1 IGBT MOD 1200V 150A 750W Infineon Technologies	30 En stock	1 : 108,41000 € Bandeja	-	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Inversor trifásico	1200 V	150 A	750 W	2.1V a 15V, 150A	1 mA	-	Estándar	Sí	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FS150R12KE3BOSA1 IGBT MOD 1200V 200A 700W Infineon Technologies	28 En stock	1 : 120,59000 € Bandeja	-	Bandeja	Activo	NPT	Inversor trifásico	1200 V	200 A	700 W	2.15V a 15V, 150A	5 mA	10.5 nF @ 25 V	Estándar	Sí	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo

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de 2.734

Los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) son dispositivos semiconductores de potencia de tres terminales usados principalmente como interruptores electrónicos que combinan una alta eficiencia con una rápida conmutación. Como módulos, los IGBT se configuran como puentes asimétricos, puentes completos, inversores de tres niveles y trifásicos, y pulsadores reductores, elevadores y de freno. Algunos cuentan con termistores NTC incorporados para monitorear la temperatura. Los módulos IGBT se diferencian por la potencia máxima, la corriente del colector, el voltaje de interrupción del colector-emisor y la configuración.

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