Name: SQM10250E_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM10250E_GE3TR-ND
Price: 4.6101 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SQM10250E_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQM10250E_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQM10250E_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQM10250E_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQM10250E_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 65A (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4050 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 65A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 30mOhm a 15A, 10V	Número de producto base SQM10250
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA