Name: IPB64N25S320ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB64N25S320ATMA1TR-ND
Price: 5.808 EUR
Availability: InStock

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IPB64N25S320ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB64N25S320ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB64N25S320ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB64N25S320ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB64N25S320ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB64N25S320ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	64A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20mOhm a 64A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7000 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB64N25