Name: XPH4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND
Price: 2.541 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 100 V 70 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)

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XPH4R10ANB,L1XHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPH4R10ANBL1XHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPH4R10ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPH4R10ANB,L1XHQ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 70 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	XPH4R10ANB,L1XHQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4970 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 70 A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.1mOhm a 35A, 10V	Número de producto base XPH4R10
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 1mA