
SISS63DN-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISS63DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 20 V 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) 5W (Ta), 65.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISS63DN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 236 nC @ 8 V |
Serie | Vgs (máx.) ±12V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7080 pF @ 10 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 65.8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.7mOhm a 15A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,49000 € | 1,49 € |
| 10 | 0,94400 € | 9,44 € |
| 100 | 0,63110 € | 63,11 € |
| 500 | 0,49680 € | 248,40 € |
| 1.000 | 0,45358 € | 453,58 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,39871 € | 1.196,13 € |
| 6.000 | 0,37109 € | 2.226,54 € |
| 9.000 | 0,35702 € | 3.213,18 € |
| 15.000 | 0,34122 € | 5.118,30 € |
| 21.000 | 0,33890 € | 7.116,90 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,49000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,80290 € |










