
SI4143DY-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI4143DY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4143DY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4143DY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 25.3A (Tc) 6W (Tc) 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4143DY-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 6.2mOhm a 12A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 167 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±25V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 6630 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 6W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TA) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,00000 € | 1,00 € |
| 10 | 0,63100 € | 6,31 € |
| 100 | 0,41430 € | 41,43 € |
| 500 | 0,32136 € | 160,68 € |
| 1.000 | 0,29143 € | 291,43 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2.500 | 0,25900 € | 647,50 € |
| 5.000 | 0,23896 € | 1.194,80 € |
| 7.500 | 0,22875 € | 1.715,62 € |
| 12.500 | 0,21727 € | 2.715,88 € |
| 17.500 | 0,21431 € | 3.750,43 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,00000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,21000 € |










