Name: MXPQ120A045SE-1GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-MXPQ120A045SE-1GE3TR-ND
Price: 5.79364 EUR
Availability: OutOfStock

MXPQ120A045SE-1GE3
N.º de producto de DigiKey	742-MXPQ120A045SE-1GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-MXPQ120A045SE-1GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-MXPQ120A045SE-1GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	MXPQ120A045SE-1GE3
Descripción	SIC FET, AUTO-GRADE, 1200V, 45M,
Plazo estándar del fabricante	28 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 52A (Tc) 268W (Tc) D2PAK-7L (TO-263 7L)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	MaxSiC®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	52A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	56mOhm a 26A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	2.8V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	82 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2483 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	268W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK-7L (TO-263 7L)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

Precio unitario sin IVA:	4,78813 €
Precio unitario con IVA:	5,79364 €

MXPQ120A045SE-1GE3