Name: TW031V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW031V65CLQTR-ND
Price: 41.9749 EUR
Availability: InStock

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TW031V65C,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TW031V65CLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TW031V65CLQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TW031V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TW031V65C,LQ
Descripción	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 53A (Tc) 156W (Tc) 4-DFN-EP (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 3mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65 nC @ 18 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +25V, -10V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2288 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 156W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 53A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 4-DFN-EP (8x8)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 4-VSFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 45mOhm a 29A, 18V