Canal N Montaje en superficie 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) PowerFlat™ (8x8) HV
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SCTL90N65G2V

N.º de producto de DigiKey
497-SCTL90N65G2VTR-ND - Cinta y rollo (TR)
497-SCTL90N65G2VCT-ND - Cinta cortada (CT)
497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
SCTL90N65G2V
Descripción
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) PowerFlat™ (8x8) HV
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SCTL90N65G2V Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
24mOhm a 40A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3380 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
935W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerFlat™ (8x8) HV
Paquete / Caja (carcasa)
4-PowerVDFN
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
124,97000 €24,97 €
1019,10100 €191,01 €
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3.00015,60607 €46.818,21 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:24,97000 €
Precio unitario con IVA:30,21370 €
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