SCT20N120 es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

Similar


IXYS
En stock: 20
Precio por unidad : 41,80000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 277
Precio por unidad : 12,26000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 201
Precio por unidad : 20,08000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 677
Precio por unidad : 23,66000 €
Hoja de datos

Similar


Microchip Technology
En stock: 26
Precio por unidad : 7,44000 €
Hoja de datos
Canal N Orificio pasante 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) HiP247™
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SCT20N120

N.º de producto de DigiKey
497-15170-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SCT20N120
Descripción
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) HiP247™
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SCT20N120 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
290mOhm a 10A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
650 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
HiP247™
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos.