Name: SCT040TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040TO65G3TR-ND
Price: 10.0551 EUR
Availability: InStock

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SCT040TO65G3
N.º de producto de DigiKey	497-SCT040TO65G3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-SCT040TO65G3CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-SCT040TO65G3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCT040TO65G3
Descripción	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 35A (Tc) 288W (Tc) TOLL (HV)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	63mOhm a 20A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	42.5 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+18V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	853 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	288W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TOLL (HV)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN
Número de producto base	SCT040