Canal N Montaje en superficie 650 V 55A (Tc) 227W (Tc) 8-HPSOF
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NTBL032N065M3S

N.º de producto de DigiKey
488-NTBL032N065M3S-ND
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
NTBL032N065M3S
Descripción
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 650 V 55A (Tc) 227W (Tc) 8-HPSOF
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
55A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
44mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 7.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1396 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HPSOF
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerSFN
Preguntas y respuestas sobre el producto

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1003,63240 €363,24 €
5003,15078 €1.575,39 €
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Precio unitario con IVA:8,76040 €
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